美印两国达成协议,在印度共建工厂出产红外、氮化镓、碳化硅芯片

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IT之家 9 月 23 日音讯,据《印度时报》报导,当地时间 22 日,印度总理莫迪与美国总统拜登发布联合声明称,美印两国将共同在印度树立一家芯片制作厂,以强化印度总理纳伦德拉・莫迪加强该国制作业的尽力。

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该工厂将专心于为国家安全、下一代电信和绿色动力使用供给先进的感应、通讯和电力电子技术,出产红外、氮化镓和碳化硅芯片。据悉,印度半导体使命以及巴拉特半导体公司、3rdiTech 公司和美国太空部队的战略技术合作将为其供给支撑。

美印两国达成协议,在印度共建工厂生产红外、氮化镓、碳化硅芯片的插图

据悉,GlobalFoundries(IT之家注:格芯公司)在加尔各答设立了 GF 加尔各答动力中心,这将加强在芯片制作研制范畴的互利联络,为零排放和低排放车辆、联网车辆、物联网设备、人工智能和数据中心的突破性发展铺平道路。

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此外,IBM 也现已与印度政府签署了体谅备忘录,IBM 的 Watsonx 渠道将可以被布置在印度的 Airawat 超级核算机上。

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